| Características |
- Capacidad: 8 TB
- Factor de forma: M.2 2280
- Interfaz: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0
- Memoria NAND: Samsung V-NAND TLC
- Controlador: Samsung (in-house)
- Cache: Samsung 8 GB DDR4X de bajo consumo
- Lectura secuencial: hasta 14.800 MB/s
- Escritura secuencial: hasta 13.400 MB/s
- Lectura aleatoria: hasta 2.200.000 IOPS
- Escritura aleatoria: hasta 2.600.000 IOPS
- Soporte TRIM
- Soporte S.M.A.R.T
- Cifrado: AES 256-bit, TCG Opal, IEEE1667
- Consumo medio: lectura 10,5 W / escritura 8,8 W
- Consumo en reposo: 9,3 mW
- Modo sleep del dispositivo
- Temperatura de funcionamiento: 0 C a 70 C
- Resistencia a impactos: 1.500 G, 0,5 ms
- Software de gestion: Samsung Magician
Dimensiones y peso
- 81.28 x 22.86 x 11.17 mm
- 30 g |
